Algorithme du gradient

................................... 203 11.3 Caractéristiques thermiques de quelques matériaux de construction .................. 204 11.4 Emissivités de quelques surfaces à 280 K environ.............................................. 204 11.5 Gradient, divergence et laplacien ........................................................................ 205 11.5.1 Coordonnées cartésiennes ..............................................................................205 11.5.2 Coordonnées cylindriques

Cristaux Photoniques I- Introduction La notion de ”cristaux photoniques” (CPs) a été introduite pour la première fois en 1987 [2].Le premier cristal photonique a été réalisé en 1991 [4]. Les cristaux photoniques sont des structures dont l’indice de réfraction varie périodiquement dans une, deux ou trois dimensions. Ce milieu périodique produit sur la lumière qui se propage dans le cristal photonique un effet analogue à celui du potentiel périodique sur les électrons dans un cristal. De même

dire infini) en pointe de fissure. Cette singularit´e se mesure `a l’aide de facteurs d’intensit´e des contraintes, permettant de d´efinir la t´enacit´e d’un mat´eriau, propri´et´e mat´erielle mesurant l’aptitude d’un mat´eriau `a supporter un fort gradient de contrainte. De la notion de t´enacit´e d’un mat´eriau d´ecoule celle de taille critique des d´efauts dans une structure. La M´ecanique lin´eaire de la Rupture s’est beaucoup d´evelopp´ee dans la seconde moiti´e du vingti`eme si`ecle, motiv´ee

des commandes MPPT IV.3.2.1 Classification des commandes MPPT selon les paramètres d’entrée IV.3.2.2 Classification des commandes MPPT selon le type de recherche ou contrôle 182 183 196 203 203 210 212 215 215 215 216 IV.3.2.2.1 Algorithme ‘‘perturbation et observation’’ 217 IV.3.2.2.2 Poursuite du point de puissance maximale par un contrôleur à logique floue IV.3.3 Critères de qualité d’une commande MPPT 231 IV.4 Modélisation des éléments de gestion de l’énergie 232

relativement important, a conduit à rechercher des méthodes de codage particulières. Un groupe de travail commun à l’ISO et à la CEI (Commission électrotechnique internationale), le Motion Picture Expert Group (MPEG), est chargé de définir les algorithmes normalisés de compression d’images vidéo et du son associé. ➤ Le codage de l’information de couleur Les différents procédés de télévision couleur diffèrent essentiellement par le codage adopté pour transmettre les informations de couleur. Le

[113] C. Lef`vre, S. Loisel, Finite-Time Ruin Probabilities for Discrete, e Possibly Dependent, Claim Severities, Methodology and Computing in Applied Probability, Vol. 11, No 3 (2009), 425-441. – ∗ [69] L. Devineau, S. Loisel, Construction d’un algorithme d’acc´l´ration ee de la m´thode des ”simulations dans les simulations” pour le calcul du e capital ´conomique Solvabilit´ II, Bulletin Fran¸ais d’Actuariat (BFA), e e c No. 17, Vol. 10, 188-221 (2009). – ∗ [131] S. Loisel, From Liquidity Crisis

être ™oûteuses en temps de ™—l™ulF sl né™essite p—r ™ontre de mettre en oeuvre l— méthode du rejet pour simuler une vF—F uniformément distri˜uée sur D = {(u, v) ∈ R2 : 0 < u2 + v 2 < 1}D voir ixemple IFQFVF Remarque 1.3.15 Proposition 1.3.16 (Algorithme polaire) Soit (U, V ) uniformément distribuée sur {(u, v) ∈ R2 : 0 < u2 + v 2 < 1}, soit R2 := U 2 + V 2 et X := U −2 ln(R2 )/R2 , Y := V −2 ln(R2 )/R2 . Alors (X, Y ) ∼ N (0, I2 ). yn véri(e tout d9—˜ord f—™ilement que (R2 , θ/2π) ∼ U]0,1[2

forte concentration aux régions à faible concentration, ou des régions à haute température vers celles de basse température. Les courants de diffusion des porteurs à travers une surface à l’intérieur des semi-conducteurs sont proportionnels aux gradients de concentration des porteurs : −−→ −− −−→ −− → − − → Jn = q Dn × grad n et J p = −q D p × grad p Dn , D p sont respectivement les coefficients de diffusion des électrons et des trous. On a : KT KT et D p = m p × Dn = m n × q q m est la mobilité des

forte concentration aux régions à faible concentration, ou des régions à haute température vers celles de basse température. Les courants de diffusion des porteurs à travers une surface à l’intérieur des semi-conducteurs sont proportionnels aux gradients de concentration des porteurs : −−−−→ −−−−→ → − − → Jn = q Dn × grad n et J p = −q D p × grad p Dn , D p sont respectivement les coefficients de diffusion des électrons et des trous. On a : KT KT et D p = m p × Dn = m n × q q m est

forte concentration aux régions à faible concentration, ou des régions à haute température vers celles de basse température. Les courants de diffusion des porteurs à travers une surface à l’intérieur des semi-conducteurs sont proportionnels aux gradients de concentration des porteurs : −−→ −− −−→ −− → − − → Jn = q Dn × grad n et J p = −q D p × grad p Dn , D p sont respectivement les coefficients de diffusion des électrons et des trous. On a : KT KT et D p = m p × Dn = m n × q q m est la mobilité des