Transistor bipolaire

Type Polarisé 1 C3 100pF (101) Céramique non 1 C2 .01μF (103) Céramique non 1 C4 .022μF (223) Céramique non 1 C1 1μF Électrolytique oui Nombre Semi-conducteur Symbol Description 1 Q1 2N3904 Transistor bipolaire NPN 1 U1 LM741 Amplificateur Circuit Intégré (CI) 1 D1 DEL Rouge Voyant lumineux pour l’alimentation 9V 1 D2 DEL Clair Transmetteur optique Nombre Description Nombre Description 1 Plaquette 1 Support de

. . . . . . . . . . . 2.4.1.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4.1.2 Signaux multipériodiques et apériodiques . . . . . 2.4.2 Fonction de transfert . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Du semi-conducteur aux transistors 3.1 Les semi-conducteurs . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.1 Semi-conducteurs intrinsèques . . . . . . 3.1.1.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.1.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.1.3 Exemples . . . . . . . . . . . 3.1.2 Semi-conducteurs

PRÉAMBULE PRINCIPE ET CARACTÉRISTIQUES. A. INTRODUCTION À L'EFFET TRANSISTOR. B. LE TRANSISTOR RÉEL. 1. Principe de fonctionnement. 2. Constitution et caractéristiques physiques d'un transistor. 3. Courants de fuite. 4. Symboles, tensions et courants. Transistor NPN Transistor PNP C. CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES. 1. Montages de base. 2. Schéma de mesure des caractéristiques. 3. Caractéristique d'entrée. 4. Caractéristique de transfert. 5. Caractéristique de sortie. 6. Limites d'utilisation

DE TENSION Page 2-2 Figure 2-2 : Architecture des références de tension « Zener enterrée » 2.1.3.1 Référence de tension de type « XFET » La référence tension de type XFET est basée sur l’utilisation de la tension de pincement des transistors à effet de champ (XFET : eXtra implanted FET). La Figure 2-3 met en évidence la structure de base d’une référence de tension de type XFET. Figure 2-3 : Architecture des références de tension « XFET » CHAPITRE 2 : RÉFÉRENCES DE TENSION

arc électrique s'établirait entre les contacts qui ne couperaient plus aucun courant. Seuls les interrupteurs statiques à base de semi conducteurs sont utilisés. On trouve : • la diode, • le transistor bipolaire, • le transistor à effet de champ à grille isolé (MOS), • l'IGBT (insulated gate bipolar transistor), • le thyristor "classique", • le thyristor GTO (gate turn off). 1 Principes fondamentaux : Aire de sécurité en direct : Un composant de puissance ne peut pas faire passer un courant infini

réalisée. E=5V D1 e1 e2 D2 u réponses E1 0 5 0 5 E2 0 0 5 5 Fonction ET u 0 0 0 5 Exercice 4. Un transistor NPN alimenté sous 15 V est muni d'une résistance de collecteur Rc et d'une résistance de base RB. La tension appliquée à l'entrée est ve = 5V; on a alors VBE = 0,70 V. Déterminer pour Ic = 0,80 A, β = 100, VCE sat = 0,40 V les résistances Rc et RB pour obtenir la saturation du transistor. Réponses : Rc = 18 RB = 540 Exercice 5. L'ADI est supposé idéal. L'alimentation est Vcc = ± 15V

DEPARTEMENT DE PHYSIQUE http://www.univ-brest.fr/physique ELECTRONIQUE DE PUISSANCE Alain Fessant 2005 / 2006 TABLE DES MATIERES I. PRESENTATION 1) Introduction 2) Composants d'électronique de puissance 2.1- Diodes 2.2- Transistors de puissance 2.3- Thyristors 3) Rappels sur les régimes transitoires 3.1- Introduction 3.2- Principe d'étude d'un montage 3.3- Valeurs caractéristiques d'une grandeur périodique 3.4- Décomposition en séries de Fourier 3.5- Exemples 3.6- Commentaires 4) Plan

R1=(1.10^3(10-5))/5 R1=1.10^3Ω=1kΩ d) R1=1kΩ ; 1/4W ; P=U²/R= 25mW e) Va1=900/(900+1000)*10= 4,73V f) Va2= 1100/(1100+1000)*10=5,23V I.3)Etude de FP2 a) Le fonctionnement d'un amplificateur intégré linéaire est le suivant: des transistors amplifient. b) V1=(R3+R4)/(R2+R3+R4)*VCC c) V1 (R2+R3+R4)=(R3+R4)*VCC V1R2+V1R3+V1R4=R3VCC+R4VCC V1R2+V1R3=R3VCC+R4VCC-R4V1 V1R3=R3VCC+R4(VCC-R4V1)-V1R2 V1R3-R3VCC=R4(VCC-V1) R3=(R4(VCC-V1)-V1R2)/(V1-VCC) R3= (12.10^3(10-5

1. Einführung in das Fachgebiet 1.1 Erfindung des Transistors In den späten vierziger Jahren und als Ergebnis längerer Forschungen wurde in den Bell Laboratories der Transistor (Übergangswiderstand) entwickelt, der die physikalischen Eigenschaften eines Halbleiters nutzt und die Vakuumröhren ersetzte. Diese waren zerbrechlich, nahmen viel Platz in Anspruch und brauchten Aufwärmzeiten eher die Geräte, die sie betrieben funktionierten. Diese Erfindung, für die die Entwickler John Bardeen

0 V VSG = 0 V Schéma SIMRAD moteur à l’arrêt : 0 logique MOS bloqué MOS bloqué 0 logique VGS = 11 V VGS = 11 V MOS passant MOS passant Remarque : Ce type de montage s’appelle un « PONT en H » car le moteur et les 4 transistors forme un H ! CORRECTION Système modélisé Ce que l’on prévoit (2/9) VSG = 11 V VSG = 0 V Schéma SIMRAD moteur 1er sens : |PARTIE 1| 1 logique MOS passant MOS bloqué 0 logique VGS = 0 V VGS = 11 V MOS bloqué MOS