Transistor bipolaire

• Amplificateurs – – – – Opérationnel Des petits signaux De puissance Avec contre réaction • Oscillateurs • Générateurs de signaux. 1. Caractéristiques des composants : - Résistance - Capacité - Inductance - Diode - Transistor 2. Régime sinusoïdale forcé 3. Représentation de Fresnel 4. La résonance d’une grandeur électrique 5. Comportement asymptotique d’un montage 6. Les Quadripôles actifs 7. Spectre bilatérale 8. Point de fonctionnement en régime variable 3/30

AMPLIFICATEUR DIFFERENTIEL A TRANSISTORS BIPOLAIRES NPN Philippe ROUX © 2005 2 1ère PARTIE : PRESENTATION DU MONTAGE L’amplificateur différentiel (figure1) est un dispositif électronique à deux entrées et deux sorties. Il est alimenté par deux sources d’alimentations de tensions opposées : +VCC et –VEE (le plus souvent VCC = VEE). Ceci pour éviter les circuits de polarisation habituels (entre base et masse) et les condensateurs de liaisons dans les bases des transistors. Aussi, ce montage offre

temps b - Variation de la chute de tension aux bornes de la diode I - 2 - Transistor bipolaire en commutation : I - 2 - 1 - Etude statique : Soit le montage de la figure 4-a. V CC IC RB Rg B IB RC V CC RC III V g M V BE I MS M0 II IB=I' B0 IB=0 V CE + V BE IB=I BS Rth IB B + - MB V CC - V th - a- - b- - c- Fig. 4 : a - Circuit d'étude b - Caractéristique statique de sortie d'un transistor NPN (avant le claquage de la jonction B-C) c - Circuit équivalent vue de l'entrée

  |   |   |   |   |   |   |   |   |   |   |   |   |   |   |   |   |   |   |   |   |   |   |   /  32 ------------------------------------------------- Top of Form Bottom of Form Download this Document for Free   28 On retiendra qu’un transistor est un interrupteur commandable : 6V CE iB=0 Fig. 11a 29 4-4-2- Fonctionnement en régime linéaire • Exemple : principe d’un amplificateur de tension β= 130 ; vCE sat = 0,2 V 30 Caractéristique de transfert uS(uE) - loi des branches

. . . . . . . . . . . 2.4.1.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4.1.2 Signaux multipériodiques et apériodiques . . . . . 2.4.2 Fonction de transfert . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Du semi-conducteur aux transistors 3.1 Les semi-conducteurs . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.1 Semi-conducteurs intrinsèques . . . . . . 3.1.1.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.1.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.1.3 Exemples . . . . . . . . . . . 3.1.2 Semi-conducteurs

. . . . . . . . . . . . . . 2.4.1.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4.1.2 Signaux multipériodiques et apériodiques . . . . . 2.4.2 Fonction de transfert . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Du semi-conducteur aux transistors 3.1 Les semi-conducteurs . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.1 Semi-conducteurs intrinsèques . . . . . . 3.1.1.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.1.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.1.3 Exemples . . . . . . . . . . . 3.1.2 Semi-conducteurs

: Tension continue fixe Tension continue réglable Ou plus exactement : tension toujours de même signe, de valeur moyenne réglable. 2 Le transistor bipolaire en commutation Le transistor est le composant de base du hacheur. C’est lui qui va faire office d’interrupteur. Voici un bref aperçu de son fonctionnement. 2.1 Caractéristique du transistor associé à une charge résistive. b : base, c : collecteur, e : émetteur La flèche sur le collecteur indique le sens du courant collecteur-émetteur

: Montage limiteur (0h30) ................................................................................ 8 Exercice 2.4. : Chargeur de batterie (0h45) ........................................................................... 9 TD 3. : Transistor bipolaire : principe et applications (commutation, amplification) (4h)...... 10 Exercice 3.1. : Régime de fonctionnement (0h45)............................................................... 10 Exercice 3.2. : Opérateur logique (0h45) ..............

Janvier 2007 Table des matières 1 Modèle mathématique du transistor bipolaire 1.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2 Modèle mathématique de la diode . . . . . . . . . . 1.2.1 Diode en régime statique . . . . . . . . . . . 1.2.2 Diode en régime dynamique . . . . . . . . . 1.2.3 Modèle complet . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2.4 Influence de la température . . . . . . . . . 1.3 Modèle du transistor bipolaire . . . . . . . . . . . . 1.3.1 Généralités . . . . . . .

•Analogiques •Linéaire •Non-linéaire •Numérique Électronique Eln de puissance Info. Ind. µInfo •Structures •Jonction •Capa MIS •Lois des circuits Maxwel/Kirchoff •Calcul de circuits •Méthode de calcul •Composants électroniques •Diode •Transistors •Bipolaires •A effet de champ •Simulation •CAO •Sous-circuits •Amplificateur opérationnel •Convoyeur •Porte logique Rappels   RAPPELS ELEMENTAIRES • Valeur moyenne • Valeur efficace t0 + ∆ t x= 1 ∫ ∆ t t0 A t0 + ∆ t x(t ) dt xeff =  1 ∫