Transistor bipolaire

..................................... 18 Chapitre 4 : Transistor bipolaire 1. 2. Transistor bipolaire – Principe....................................................................................................... 21 Caractéristiques du transistor ....................................................................................................... 22 Page 1 Pr. JAMAL ELABBADI – EMI– 2010-2011 3. 4. Polarisation du transistor ........................................................

et l’amplificateur dit « à Transistor ». a) L’amplificateur à Lampes [pic] Ces électrons sont ensuite attirés par l’anode, ce qui donne une tension en sortie. La tension de sortie dépend donc de la tension d’entrée (Base). [pic] Remarque : *Une couche d’oxyde est souvent appliquée sur la cathode, ce qui facilite le départ des électrons de la surface de celle-ci. b) L’amplificateur à Transistors [pic] [pic] Schéma normalisé

47 48 48 50 51 51 51 52 53 53 53 54 54 54 55 55 55 56 56 56 . . 5.3 5.4 . . . . . . . . . . . 5.5 5.6 5.7 5.1 Introduction Ce laboratoire vous permettra de comprendre le fonctionnement d’un amplificateur audio ` transistors bipolaires dont la conception est relativement simple. Bien que le cira 47 CHAPITRE 5. LABORATOIRE 4 : L’AMPLIFICATEUR AUDIO 48 cuit d’amplification puisse vous paraˆ compliqu´ ` premi`re vue, vous verrez qu’une ıtre ea e bonne partie du travail

..................................... 18 Chapitre 4 : Transistor bipolaire 1. 2. Transistor bipolaire – Principe....................................................................................................... 21 Caractéristiques du transistor ....................................................................................................... 22 Page 1 Pr. JAMAL ELABBADI – EMI– 2010-2011 3. 4. Polarisation du transistor ........................................................

dopés N et P Jonction PN Diode jonction Diode Zener Diode à capacité variable Diode à pointe, diode Schottky Diode PIN Diode tunnel Diode Gunn CHAPITRE 10 • TRANSISTORS BIPOLAIRES ET À EFFET DE CHAMP 79 10.1 Transistors bipolaires NPN et PNP 10.2 Transistors à jonction à effet de champ, TEC ou JFET 10.3 Transistors à effet de champ MOS 79 82 85 VIII Table des matières CHAPITRE 11 • ÉQUILIBRE THERMIQUE, LIMITES DE FONCTIONNEMENT 90 11.1 11.2 11.3 11.4 11.5

est un instrument classique connu pour la faible distorsion du signal de sortie. La CTP utilisée était simplement un filament de lampe à incandescence. Les oscillateurs à pont de Wien modernes utilisent, à la place d'un filament d'ampoule, des transistors à effet de champ ou des cellules photoélectriques. Des taux de distorsion de l'ordre de quelques parties par million peuvent être obtenus en améliorant légèrement le circuit original de W. Hewlett. 2-2-Définition : *L’oscillateur sinusoïdal qu’on

.......................................................................... 17 II. Rapport de simulation ............................................................................................................ 24 1. ETUDE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE (BJT) ..................................................................................... 24 1.1. Etude statique ..................................................................................................................... 25

Chronologie Apple Le premier ordinateur digne de ce nom, il y a cinquante ans, était une monstrueuse machine qui couvrait une surface de 135 mètres carrés, pesait 30 tonnes, et fonctionnait avec 18.000 tubes à vide (l'ancêtre du transistor). Cela permettait d'additionner 5000 nombres de 10 chiffres à la seconde. Son nom était l'Eniac on était en 1946... Maintenant, il aurait l'utilité d'une calculatrice à 4 opérations... Deux ans après, lui succède le Mark 1, sur les plans de John von Neumann

électrique. A (amplificateur classe) VCC Un amplificateur de tension classe A est souvent un amplificateur constitué de transistors bipolaires, ou de transisIC tors à effets de champs (FET). Ce genre d’amplificateur RC R2 est le plus utilisé en électronique analogique à transistors. L’entrée e(t) et la sortie s(t) sont des tensions. Le point de repos (point de polarisation) de chaque transistor doit vS être situé sur la droite de charges, dans la partie centrale RE R1 (loin des points caractéristiques qui

L'invention de l'effet transistor se situe dans un contexte qui trouve ses racines dans les débuts de la radioélectricité et dans la téléphonie. Depuis 1936 les laboratoires Bell's cherchaient à remplacer les commutateurs électromécaniques des centraux téléphoniques par des dispositifs statiques plus fiables. D'autre part, la seconde guerre mondiale a provoqué un développement rapide des semi-conducteurs (germanium) pour réaliser les diodes de détection des radars .Les matériaux semi-conducteurs