Semi Présidentialisme

CONSTITUTION………………………………………………………………………………. III/CARACTERISTIQUE CRITERE DE CHOIX……………………………………………………………. IV/ FONCTIONNEMENT…………………………………………………………………………………………… V/ CONCLUSION……………………………………………………………………………………………………… I/INTRODUCTION Les circuits intégrés à technologie MOS (Métal Oxyde Semi-conducteur) sont réalisés à partir de transistors MOS. Comparée à la technologie TTL cette technologie, consomme moins d’énergie, a une marge de sensibilité aux bruits plus large, fonctionne sous une gamme de tensions d’alimentations plus grande, a

Introduction à l’électronique de puissance  Chapitre II : Les semi-conducteurs utilisés en électronique de puissance  Chapitre III : Les redresseurs non commandés  Chapitre IV : Les redresseurs commandés  Chapitre V : Les hacheurs J. NEVEUX ESIGELEC 1AFI 2012/2013 2 Chapitre I : Introduction à l’électronique de puissance Généralités et genèse de l’électronique de puissance  Genèse  Exemple  Notion de rendement  Les semi-conducteurs : leur rôle et les pertes J. NEVEUX ESIGELEC 1AFI

lumière très puissant et de plusieurs lentilles. tambour 3. Le tambour Le tambour du photocopieur est le cœur du système. Il s’agit fondamentalement d’un rouleau en métal couvert d’une couche de matériel photoconducteur. Cette couche est faite d’un semi-conducteur, tel que le sélénium, le germanium, ou plus communément le silicium. La particularités de ces éléments est leur capacité de conduire l’électricité dans certains cas, mais pas dans d’autres. Ainsi, dans l’obscurité, la couche photoconductrice

davantage à une individualisation de la peine à travers la procédure simplifiée d’aménagement des peines. Les aménagements de peine constituent des mesures destinées à éviter l'exécution de courtes peines d'emprisonnement, consistant à privilégier une semi-liberté, un placement à l'extérieur, un placement sous surveillance électronique, un fractionnement, une suspension, une liberté conditionnelle ou une conversion autorisant à quitter l’établissement pénitentiaire pour diverses raisons. Les aménagements

informations disponibles au bureau de douane de destination ou de sortie (de passage) et celles dont dispose le bureau de douane de départ ou d’entrée (de passage). véhicule routier: non seulement un véhicule routier à moteur, mais aussi toute remorque ou semi-remorque conçue pour y être attelée. conteneur : un engin de transport (cadre, citerne amovible ou autre engin analogue). association garante : une association agréée par les autorités douanières d'une Partie contractante pour se porter caution

industriels investissent dans la technologie photovoltaïque et ses applications terrestres. Lycée Jean Monnet, Annemasse 4/38 Etudes des cellules photovoltaïques 1)Principe de fonctionnement Les photopiles sont des composants électroniques à semi- conducteur qui, lorsqu’ils sont éclairés par le rayonnement solaire, développent une force électromotrice capable de débiter un courant dans un circuit extérieur. La structure la plus simple d’une cellule photovoltaïque comporte une jonction

Technologie digitale Eduardo Sanchez Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne Electricité et électronique

On peut voir l'électricité comme des ensembles d'électrons se déplaçant d'un point à un autre

L'électronique est la science du contrôle de ces ensembles d'électrons

Le contrôle le plus simple est fourni par un interrupteur mécanique Page 2 Eduardo Sanchez Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne Interrupteurs électro-aimant courant Y courant X ressort transistor MOS voltage

solaire R 1367 W/m2 9 Energie solaire photovoltaïque • Exploitation de cette énergie : – Utilisation passive (éclairage et chauffage) – Solaire thermique (production d’eau chaude) – Solaire photovoltaïque • Comment convertir cette énergie : – Semi-conducteurs capable de convertir la lumière en énergie électrique (filière à taux de croissance élevé, chute des coûts de production, …) 10 Bref historique • Effet photovoltaïque découvert en 1839 par A. Becquerel • Phénomène exploité tardivement

Première approximation : modèle réelle (rD ≠0 ; V0 ≠0) Évolution de VD Caractéristiques électriques État de la Courant Schéma équivalent diode ID VD < V0 bloquée ID = 0 VD ≥ V0 passante ID > 0 III-2- Deuxième approximation : modèle à seuil ou semi-idéal ou simplifié (rD =0 ; V0 ≠0) Évolution de VD Caractéristiques électriques État de la Courant Schéma équivalent diode ID VD < V0 bloquée ID = 0 VD = V0 passante ID > 0 III-3- Troisième approximation : modèle idéal (rD =0 ; V0 =0) Évolution

TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP TEC Canal N P G : Grille G S Canal N S: Source D : Drain D Symbole : Canal N N G P Substrat N : semi-conducteur de type N Substrat P : semi-conducteur de type P Canal N est conducteur par nature Pour moduler le canal : jonction PN polarisée en inverse. D G P N Canal P D G S S Fonctionnement TECnormal Canal N : TEC Canal P VGS ≤ 0 VGS ≥ 0 VDS ≥ 0 VDS ≤ 0 La source est la référence commune TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP Principe de fonctionnement : G :