Transistor Darlington

commande. La catégorie des interrupteurs commandables inclut de nombreux types de composants : · Transistors Bipolaires à Jonctions (Bipolar Junction Transistors - BJTs) ; · Transistors à effet de champ Metal-Oxyde-Semiconducteur (MOSFETs) ; · Thyristors commandés à l'ouverture (Gate-Turn-Off Thyristors - GTO Thyristors) ; · Transistors bipolaires à grille isolée (Insulated Gate Bipolar Transistors - IGBTs) ; · Thyristors MOS Commandés (MOS-Controlled Thyristors - MCTs). Les Diodes • La diode

Tension Zener 3-4- Caractéristique idéalisée 2 4- Le transistor bipolaire 4-1- Transistor bipolaire NPN et PNP 4-2- Caractéristiques électriques du transistor NPN 4-2-1- Montage émetteur - commun 4-2-2- Tensions et courants 4-2-3- Jonction Base - Emetteur 4-2-4- Transistor bloqué 4-2-5- Transistor passant a- Fonctionnement en régime linéaire b- Fonctionnement en régime de saturation 4-3- Caractéristiques électriques du transistor PNP 4-4- Applications 4-4-1- Fonctionnement en commutation 4-4-2-

de l’application désirée. II- Les familles logiques Il existe 4 technologies principales : Logique à éléments discrets (diodes et transistors) Technologie TTL Technologie CMOS Technologie ECL Les technologies les plus utilisées aujourd’hui sont la technologie TTL et la technologie CMOS. La logique à éléments discrets (OU à diodes, inverseur à transistor, etc.) est utilisée lorsque l’implantation d’un circuit intégré n’est pas justifié, mais présente les inconvénient suivants : • dégradation

. . . . . . . . . . . 2.4.1.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4.1.2 Signaux multipériodiques et apériodiques . . . . . 2.4.2 Fonction de transfert . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Du semi-conducteur aux transistors 3.1 Les semi-conducteurs . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.1 Semi-conducteurs intrinsèques . . . . . . 3.1.1.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.1.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.1.3 Exemples . . . . . . . . . . . 3.1.2 Semi-conducteurs

______________________________________________________ Leçon X : LE TRANSISTOR BIPOLAIRE, MONTAGES EN COURANT CONTINU (pleine page / avec sommaire) Le but de cette leçon est d'introduire au fonctionnement du transistor bipolaire et du montage inverseur. Dans cette partie comme dans la précédente consacrée aux semiconducteurs et aux diodes, il est présenté une introduction au fonctionnement du transistor bipolaire. Le modèle de Ebers et Moll permet de comprendre le fonctionnement de

. . . . . . . . . . . . . . 2.4.1.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4.1.2 Signaux multipériodiques et apériodiques . . . . . 2.4.2 Fonction de transfert . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Du semi-conducteur aux transistors 3.1 Les semi-conducteurs . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.1 Semi-conducteurs intrinsèques . . . . . . 3.1.1.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.1.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.1.3 Exemples . . . . . . . . . . . 3.1.2 Semi-conducteurs

Le transistor Ce projet a été réalisé par: • Yassir Iraqi Houssaini • Ismail Chams Eddine • Soufiane Darrag Le plan Introduction au transistor Description du transistor Le principe de fonctionnement d’un transistor Exemple pratique d’un transistor Introduction au transistor Le but de cet exposé est de donner une vision de base du comportement d'un transistor. Il s'adresse au lecteur qui a des notions d'électricité élémentaire : voltage, ampérage, résistance, batteries, loi d'Ohm. Les problèmes

1ère génie électrotechnique année scolaire 2002-2003 TP n°26 : le transistor bipolaire : présentation et réseau de caractéristiques Objectifs du TP : - avoir une notion de l’effet transistor ; - relever le réseau de caractéristique d’un transistor bipolaire ; - déterminer le facteur d’amplification en courant de ce transistor. I Présentation du transistor bipolaire 1.1 Description et symboles Un transistor bipolaire est un composant électronique à trois électrodes, reliées chacune à une région

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32 32 33 33 33 34 34 34 34 34 35 35 35 35 35 36 36 37 37 37 38 38 38 38 39 40 42 42 42 42 42 43 43 43 43 43 44 44 44 44 45 45 45 46 46 47 47 48 48 49 49 49 49 50 50 51 51 3 Du semi-conducteur aux transistors 3.1 Les semi-conducteurs . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.1 Semi-conducteurs intrinsèques . . . . . . 3.1.1.1 Réseau cristallin . . . . . . . . 3.1.1.2 Définitions . . . . . . . . . . . 3.1.1.3 Exemples . . . . . . . . . . . 3.1.2 Semi-conducteurs

1. Einführung in das Fachgebiet 1.1 Erfindung des Transistors In den späten vierziger Jahren und als Ergebnis längerer Forschungen wurde in den Bell Laboratories der Transistor (Übergangswiderstand) entwickelt, der die physikalischen Eigenschaften eines Halbleiters nutzt und die Vakuumröhren ersetzte. Diese waren zerbrechlich, nahmen viel Platz in Anspruch und brauchten Aufwärmzeiten eher die Geräte, die sie betrieben funktionierten. Diese Erfindung, für die die Entwickler John Bardeen