Mos mos
NMOS
Tension de seuil :
VTn = VTn0 + γ n
PMOS
)
Tension de seuil :
VTp = VTp 0 − γ p
(
2φf + V SB − 2φf ≈ 1V
(
2φ f + V BS − 2φf ≈ −1V
)
▪ Régime bloqué : Si VGS ≤ VTn
IDn = 0
▪ Régime bloqué : Si VGS ≥ VTp
IDp = 0
▪ Régime ohmique : Si VGS > VTn et VDS ≤ VGS - VTn
W V IDn = n µn.Cox VGS − VTn − DS VDS L 2 n
▪ Régime ohmique : Si VGS < VTp et VSD ≤ VSG - │VTp│
Wp V IDp = µp .Cox VSG − VTp − SD VSD Lp 2
▪ Régime saturé : Si VGS > VTn et VDS ≥ VGS - VTn
IDn = 1 Wn 2 L µn.Cox [VGS − VTn ] (1 + λn VDS ) 2 n
▪ Régime saturé : Si VGS > VTp et VSD ≥ VSG - │VTp│
IDp =
2 1 Wp µp .Cox VSG − VTp (1 + λp VSD ) 2 Lp
On connaît VG, VS, VD, VB avec VD ≥ VS oui
La tension de seuil VTn d'un NMOS varie si la tension source VS et la tension substrat VB sont différentes. Dans le cas d'un NMOS la tension substrat VB est la tension d'alimentation basse VSS (souvent la masse 0V) et si VSB > 0 alors VTn > VTn0
VBS = 0 ? oui non
D drain
Calculer VTn
VTn = VTn0
G grille B substrat
La tension VGS d'un NMOS doit être positive et > VTn pour qu'un courant IDn circule dans le transistor (toujours de D vers S)
IDn
S source
VGS > VTn ? oui non
Qn bloqué IDn = 0
Qn passant Calculer VDS
La tensionVDSsat = VGS – VTn est la limite entre régime saturé (linéaire) et régime ohmique
NMOS
VDS ≥ VGS - VTn ? oui non
Régime saturé Calculer IDn
Régime ohmique Calculer IDn
On connaît VG, VS, VD, VB avec VS ≥ VD oui
La tension de seuil VTp d'un PMOS varie si la tension source VS et la tension substrat VB sont différentes. Dans le cas d'un PMOS la tension substrat VB est la tension d'alimentation haute VDD (souvent 5V ou 3,3V) et si VBS > 0 alors VTp < VTp0
VSB = 0 ? oui non
source S G grille B substrat
La tension VGS d'un PMOS